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SI4936DY-T1-E3中文資料微碧半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4936DY-T1-E3
廠商型號

SI4936DY-T1-E3

功能描述

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件大小

1.025609 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產廠商

VBSEMI

中文名稱

微碧半導體

網址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:01:00

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產品屬性

  • 型號:

    SI4936DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Vishay(威世)
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