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SI4670DY-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4670DY-T1-GE3
廠商型號

SI4670DY-T1-GE3

功能描述

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件大小

277.11 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 13:44:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI4670DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-ChW/ Schottky 25V 23mohms @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY(威世)
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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