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SI4542DY中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4542DY
廠商型號

SI4542DY

功能描述

30V Complementary PowerTrench MOSFET

文件大小

56.76 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 23:01:00

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SI4542DY規(guī)格書詳情

General Description

This complementary MOSFET device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

特性 Features

? Q1: N-Channel

6 A, 30 V RDS(on) = 28 m? @ VGS = 10V RDS(on) = 35 m? @ VGS = 4.5V

? Q2: P-Channel

–6 A, –30 V RDS(on) = 32 m? @ VGS = –10V RDS(on) = 45 m? @ VGS = –4.5V

Applications

? DC/DC converter

? Power management

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI4542DY

  • 功能描述:

    MOSFET SO8 SINGLE NCH/PCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
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