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SI4487DY-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SI4487DY-T1-GE3 |
| 功能描述 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
1.00343 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | VBSEMI |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-18 23:01:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI4487DY-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
TrenchFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3613 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
502316 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世通 |
21+ |
SOP-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP |
27842 |
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VISHAY |
23+ |
SOP |
8560 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOP-8 |
25000 |
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