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SI4435DDY-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
SI4435DDY-T1-GE3 |
| 功能描述 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
279.47 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
| 中文名稱(chēng) | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-12 20:57:00 |
| 人工找貨 | SI4435DDY-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SI4435DDY-T1-GE3規(guī)格書(shū)詳情
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
? TrenchFET? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switches
? Battery Switch
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4435DDY-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
