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SI4420DY

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: Si4420DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS?technology. Applications ■DCtoDCconvertors ■DCmotor

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

SI4420DY

Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thisdeviceiswellsuitedforlowvoltageandbattery

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

SI4420DY

N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SI4420DY

HEXFET Power MOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?powerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowon-resistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO

IRF

International Rectifier

IRF

SI4420DY

30V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封裝

\n優(yōu)勢(shì):\n? 符合 RoHS\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 低開關(guān)耗能\n? 低通態(tài)損耗\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

SI4420DY

Power MOSFETs

NexperiaNexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

Nexperia

Si4420DY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SI4420DYPBF

HEXFETPower MOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?powerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowon-resistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO

IRF

International Rectifier

IRF

SI4420DY-T1-E3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

SI4420DYPBF

Simple Drive Requirements

IRF

International Rectifier

IRF

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    SO-8

  • VDS?max：

    30.0V

  • RDS (on)?max：

    9.0m?

  • RDS (on)(@10V)?max：

    9.0m?

  • RDS (on)(@4.5V)?max：

    13.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID (@ TA=70°C)?max：

    10.0A

  • ID (@ TA=25°C)?max：

    12.5A

  • Ptot(@ TA=25°C)?max：

    2.5W

  • QG?：

    52.0nC?

  • RthJA?max：

    50.0K/W

  • Mounting?：

    SMD

  • Moisture Sensitivity Level?：

    1

  • Qgd?：

    12.0nC?

  • Tj?max：

    150.0°C

  • VGS?max：

    20.0V

  • Ciss?：

    2240.0pF?

  • Coss?：

    1100.0pF?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
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SOP-8
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多SI4420DY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 10:26:00

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