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SI4286DY-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI4286DY-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI4286DY-T1-GE3

功能描述

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

文件大小

1.09097 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

VBSEMI

中文名稱

微碧半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-6 16:50:00

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SI4286DY-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? power MOSFET

? 100 Rg and UIS tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI4286DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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