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SI3552DV-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
SI3552DV-T1-E3 |
功能描述 | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
304.84 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
VISHAY【威世科技】 |
中文名稱(chēng) | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | VISHAY |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-5 22:58:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SI3552DV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 2.5/1.8A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
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