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SI3457DV數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SI3457DV

功能描述

雙P溝道邏輯電平PowerTrench? MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 20:00:00

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SI3457DV規(guī)格書詳情

描述 Description

此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆高級PowerTrench工藝生產(chǎn)。 它已針對電池的電源管理應(yīng)用進行了優(yōu)化。

特性 Features

?-4 A,-30 V。
?RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V
?RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = -4.5 V
?低柵極變化
?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :SI3457DV

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-4

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :75

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :50

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6

  • Ciss Typ (pF)

    :470

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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