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SI3447DV中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI3447DV
廠商型號(hào)

SI3447DV

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

90.72 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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SI3447DV規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

特性 Features

? –5.5 A, –20 V. RDS(ON) = 33 m? @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 43 m? @ VGS = –2.5 V

RDS(ON) = 60 m? @ VGS = –1.8 V

? Fast switching speed.

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

Applications

? Battery management

? Load switch

? Battery protection

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI3447DV

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT6 SINGLE PCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
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860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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