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首頁(yè)>SI3445DV-T1-E3>詳情

SI3445DV-T1-E3_SIGMASTAR/星宸科技_MOSFET 8V 5.6A 2W一線(xiàn)半導(dǎo)體3部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    SI3445DV-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    SI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    3123

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT23-6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-28 15:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：SI3445DV-T1-E3品牌：SI

  • 芯片型號(hào)：

    SI3445DV-T1-E3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    187.99 kb

  • 資料說(shuō)明：

    P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI3445DV-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 8V 5.6A 2W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    云小姐/廖小姐

  • 手機(jī)：

    19168775913

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83789203 18165726413

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

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