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SI1965DH-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI1965DH-T1-E3
廠商型號

SI1965DH-T1-E3
功能描述

Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
文件大小

140.92 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商

Vishay Vishay Siliconix
中文名稱

威世科技 威世科技半導體
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 20:38:00
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產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SI1965DH-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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