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SH68N65DM6AG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SH68N65DM6AG |
| 參數(shù)屬性 | SH68N65DM6AG 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V |
| 功能描述 | Automotive-grade N-channel 650 V, 35 m typ., 64 A MDmesh DM6 half-bridge topology Power MOSFET in an ACEPACK SMIT package |
| 文件大小 |
555.1 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 20:03:00 |
| 人工找貨 | SH68N65DM6AG價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SH68N65DM6AG規(guī)格書詳情
SH68N65DM6AG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的SH68N65DM6AG晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
特性 Features
? AQG 324 qualified
? Half-bridge power module
? 650 V blocking voltage
? Fast recovery body diode
? Very low switching energies
? Low package inductance
? Dice on direct bond copper (DBC) substrate
? Low thermal resistance
? Isolation rating of 3.4 kVrms/min
描述 Description
This device combines two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT
is a very compact and rugged power module in a surface mount package for easy
assembly. Thanks to the DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low
thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The high design
flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost,
and single switch through different combinations of the internal power switches.
Applications
? Switching applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SH68N65DM6AG
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 描述：
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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