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SGW20N60數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

SGW20N60

參數(shù)屬性

SGW20N60 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 36A 178W TO247-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 600V 36A 178W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-17 13:36:00

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SGW20N60規(guī)格書詳情

描述 Description

英飛凌提供龐大的 IGBT 產(chǎn)品組合,解決軟開關(guān)/諧振和硬開關(guān)拓撲。
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特性 Features

? 較上一代產(chǎn)品能耗降低 30%
? 短路承受時間 – 10μs
? 設(shè)計用于 30kHz 以上應(yīng)用
? 高穩(wěn)健性和溫度穩(wěn)定性
? 無鉛鍍層;符合 RoHS
? 符合目標應(yīng)用 JEDEC 標準

優(yōu)勢:

應(yīng)用 Application

英飛凌提供豐富的 IGBT 產(chǎn)品組合,適用于各種通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感覺加熱、微波爐、電飯煲、焊接和 SMPS 領(lǐng)域。

簡介

SGW20N60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的SGW20N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :SGW20N60

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Technology?

    :IGBT Fast

  • Switching Frequency?min?max

    :10.0kHz?40.0kHz

  • Package?

    :TO-247

  • Voltage Class?max

    :600.0V

  • IC(@100°)?max

    :20.0A

  • IC(@25°)?max

    :40.0A

  • ICpuls?max

    :80.0A

  • Ptot?max

    :179.0W

  • VCE(sat)?

    :2.4V?

  • Eon?

    :0.67mJ?

  • Eoff(Hard Switching)?

    :0.49mJ?

  • td(on)?

    :36.0ns?

  • tr?

    :30.0ns?

  • td(off)?

    :250.0ns?

  • tf?

    :63.0ns?

  • QGate?

    :100.0nC?

  • VCE?max

    :600.0V

  • Switching Frequency?

    :Fast IGBT 10-40 kHz

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
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TO3P
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