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SSFP10N60

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

SSH10N60A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V ■LowRDS(ON):0.646Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSH10N60A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SSH10N60B

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSH10N60B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SSI10N60B

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSP10N60

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSP10N60

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SSP10N60A

AdvancedPowerMOSFET

BVDSS=600V RDS(on)=0.8? ID=9A FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V LowRDS(ON):0.646(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSP10N60A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SGW10N60A

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
24+
P-TO247-3-1
8866
詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
SANYO/三洋
23+
TO-252
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
英飛翎
22+
TO-247
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
INFINEON
22+
PG-TO247-3
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
INFINEON
23+
10A,600V,不帶D
20000
全新原裝假一賠十
 詢價
INFINEON/英飛凌
2023+
TO-247
48
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
 詢價
INFINEON
22+
PG-TO247-3
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
 詢價
INFINEON
23+
PG-TO247-3
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多SGW10N60A供應商 更新時間2025-7-15 15:30:00

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