SGU15N40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
SGU15N40 |
參數(shù)屬性 | SGU15N40 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 400V 45W IPAK |
功能描述 | General Description |
封裝外殼 | TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA |
文件大小 |
169.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-16 16:45:00 |
人工找貨 | SGU15N40價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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SGU15N40規(guī)格書詳情
General Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for strobe applications
特性 Features
? High input impedance
? High peak current capability (130A)
? Easy gate drive
Application
Strobe flash.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
SGU15N40LTU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
8V @ 4.5V,130A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
I-PAK
- 描述:
IGBT 400V 45W IPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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