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SGT20T60SDM1P7數(shù)據(jù)手冊(cè)Silan中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SGT20T60SDM1P7 |
| 功能描述 | IGBT |
| 制造商 | Silan Silan Microelectronics Joint-stock |
| 中文名稱 | 士蘭微 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 10:33:00 |
| 人工找貨 | SGT20T60SDM1P7價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SGT20T60SDM1P7規(guī)格書詳情
描述 Description
SGT20T60SDM1P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截止（Field Stop）工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域。
特性 Features
? 20A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.7V@IC=20A
? 低導(dǎo)通損耗
? 快開關(guān)速度
? 高輸入阻抗
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：SGT20T60SDM1P7
- 生產(chǎn)廠家
：Silan
- Type
：IGBT＋Diode
- Package
：TO-247-3L
- BVce (V)
：600
- Ic (A) Tc=100℃
：20
- If (A) Tc=100℃
：20
- Vge (th) (V)
：4.00~6.50
- Vce (sat) typ (V) Tc=25℃
：1.7
- Vce (sat) max (V) Tc=25℃
：2.4
- Vfm typ (V)Tc=25℃
：1.8
- Vfm max (V)Tc=25℃
：/
- Trr typ (ns)Tc=25℃
：33.69
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LITTELFU |
08+ |
DO214AA |
80000 |
絕對(duì)全新原裝強(qiáng)調(diào)只做全新原裝現(xiàn) |
詢價(jià) | ||
HARRIS |
2024+ |
ZIP3(TO) |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Littelfuse |
19+ |
DO-214AA |
200000 |
詢價(jià) | |||
SECOS |
MSOP |
68500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
SECOS |
22+ |
MSOP |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
LITTELFUSE/力特 |
2019+PB |
DO-214AA |
150000 |
全新-特價(jià)大量供貨房間 |
詢價(jià) | ||
HARRIS |
9627+ |
1947 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | |||
SILAN(士蘭微) |
23+ |
TO-247-3L |
58 |
三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
76000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
24+ |
DO-214AA |
150000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) |
