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SGF5N150UF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGF5N150UF
廠商型號

SGF5N150UF

參數(shù)屬性

SGF5N150UF 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF

功能描述

General Description

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

292.89 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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SGF5N150UF規(guī)格書詳情

General Description

Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses.

SGF5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.

特性 Features

? High Speed Switching

? Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A

? High Input Impedance

Application

Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SGF5N150UFTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    5.5V @ 10V,5A

  • 開關(guān)能量:

    190μJ(開),100μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    10ns/30ns

  • 測試條件:

    600V,5A,10 歐姆,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
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