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SGD04N60分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGD04N60
廠商型號

SGD04N60
參數(shù)屬性

SGD04N60 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3
功能描述

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation
IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

347.72 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產廠商

INFINEON
中文名稱

英飛凌
網址

網址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 22:50:00
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SGD04N60規(guī)格書詳情

SGD04N60屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的SGD04N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    SGD04N60BUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，4A

  • 開關能量：

    131μJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    22ns/237ns

  • 測試條件：

    400V，4A，67 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO252-3-11

  • 描述：

    IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
23+
4A,600V,不帶D
20000
全新原裝假一賠十
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
 詢價
VBsemi
21+
TO252
10010
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
VBsemi
24+
TO252
18000
假一賠百原裝正品價格優(yōu)勢實單可談
 詢價
INFINEON
24+
P-TO252-3-1
8866
詢價
INFINEON/英飛凌
25+
TO-252
2226
全新原裝正品支持含稅
 詢價
INFINEON
18+
SOT252
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
VBsemi
25+
TO252
4333
詢價
ADI
23+
TO-252
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價

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