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SiHFI530G	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFI530G	文件：2.17729 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm ?175°COperatingTemperature ?DynamicdV/dtRating ?LowThermalResistance ?Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SiHL530	文件：1.1486 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHL530	文件：1.02481 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
SIHL530	文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHL530S	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHL530S	文件：303.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
SIHL530S	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SiHLI530G	文件：1.54383 Mbytes Page：8 Pages	Logic-LevelGateDrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHLI530G	文件：1.54014 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK

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更多SFL530供應商更新時間2025-7-24 16:32:00

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