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HEF4059BF	文件：58.48 Kbytes Page：6 Pages	Programmabledivide-by-ncounter DESCRIPTION TheHEF4059Bisadivide-by-ncounterwhichcanbeprogrammedtodivideaninputfrequencybyanynumbernfrom3to15999.Theoutputsignalisaoneclock-cyclewidepulseandoccursatarateequaltotheinputfrequencydividedbyn.Thesingleoutput(O)hasTTLdrivecapabili	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
HEF4059BN	文件：58.48 Kbytes Page：6 Pages	Programmabledivide-by-ncounter DESCRIPTION TheHEF4059Bisadivide-by-ncounterwhichcanbeprogrammedtodivideaninputfrequencybyanynumbernfrom3to15999.Theoutputsignalisaoneclock-cyclewidepulseandoccursatarateequaltotheinputfrequencydividedbyn.Thesingleoutput(O)hasTTLdrivecapabili	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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HM4059	文件：810.81 Kbytes Page：9 Pages	Programmablevoltageandcurrentlinearbatterymanagementchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM4059B	文件：327.78 Kbytes Page：12 Pages	1ANi-MHbatterychargemanagementintegratedcircuit	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IRGB4059DPBF	文件：295.48 Kbytes Page：11 Pages	LowSwitchingLosses	IRF International Rectifier	IRF
IRGB4059DPBF	文件：286.34 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology ?LowSwitchingLosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μsSCSOA ?SquareRBSOA ?100ofThePartsTestedfor4XRatedCurrent(ILM) ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode	IRF International Rectifier	IRF
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IRGC4059B	文件：101.05 Kbytes Page：2 Pages	IRGC4059BIGBTDieinWaferForm	IRF International Rectifier	IRF

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