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SEMIX603GB066HDS中文資料賽米控丹佛斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SEMIX603GB066HDS
廠商型號(hào)

SEMIX603GB066HDS
功能描述

Trench IGBT Modules
文件大小

1.10399 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商

SEMIKRON
中文名稱(chēng)

賽米控丹佛斯
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 22:28:00
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SEMIX603GB066HDS規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Homogeneous Si

? Trench = Trenchgate technology

? VCE(sat)with positive temperature coefficient

? UL recognised file no. E63532

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SEMIX603GB066HDS

  • 制造商：

    SEMIKRON

  • 功能描述：

    IGBT POWER MODULE, Transistor

  • Polarity：

    N Channel, DC Collector

  • Current：

    720A, Collector Emitter Voltage

  • Vces：

    1.9V, Power Dissipation

  • Pd：

    40W, Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo：

    1V, Operating Temperature

  • Min：

    -40C, No. of

  • Pins：

    20 , RoHS

  • Compliant：

    Yes

  • 功能描述：

    POWER IGBT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SEMIKRON
1950+
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3689
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
SEMIKRON
專(zhuān)業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)

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