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SE9400分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

SE9400
廠商型號

SE9400

參數屬性

SE9400 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220-3

功能描述

SILICON PNP TRANSISTOR
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220-3

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

64.8 Kbytes

頁面數量

1

生產廠商

Central

中文名稱

美國中央半導體

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-6 16:59:00

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SE9400規(guī)格書詳情

SE9400屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由美國中央半導體制造生產的SE9400晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR SE9400, 01, 02 are Silicon PNP Epitaxial Base, Monolithic Diffused Resistor Type Darlington Construction Power Transistors designed for audio amplifiers and medium power linear and switching applications.

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    SE9400

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 150mA,7.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 7.5A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 10A TO220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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