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U20120SG

20.0AmpereHeatsinkSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

UFT20120

ULTRAFASTRECOVERYMODULES

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

UFT20120

UltrafastRecoveryModules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多SDUR20120W供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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