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SD56120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SD56120
廠商型號(hào)

SD56120

參數(shù)屬性

SD56120 封裝/外殼為M246;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 860MHZ M246

功能描述

RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS
FET RF 65V 860MHZ M246

封裝外殼

M246

文件大小

43.94 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 9:31:00

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SD56120規(guī)格書(shū)詳情

SD56120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的SD56120晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The SD56120 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0GHz. The SD56120 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for broadcast applications from 470 to 860 MHz requiring high linearity.

General features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration Push-pull

■ POUT = 100W with 14dB gain @ 860MHz

■ BeO free package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SD56120

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    14A

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    M246

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M246

  • 描述:

    FET RF 65V 860MHZ M246

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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