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SD22

Marking：22A；Package：SOD-323；TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Features Unidirection:450Wattspeakpulsepower perline(tp=8/20μs) ReplacementforMLV(0805) ProtectsonepowerorI/Oport Lowclampingvoltage Appliedtothetype3Vand36V 61000-4-2(ESD):Air30kV,Contact30kV

SD22

Schottky Diode;

分立

SD2200

2-WAY POWER DIVIDER SURFACE MOUNT MODEL

FEATURES: ?ExcellentPerformance ?WideBandwidth ?SmallSize,SurfaceMount ?ModeratePower ?LeadFreeRoHSCompliant APPLICATIONS: ?SignalSplitting&LowPowerCombining

SD2200

N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZSEMICONDUCTOR]

SD2200DE

N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZSEMICONDUCTOR]

SD2200R

N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZSEMICONDUCTOR]

SD2203AP

高精度實時時鐘; ? 低功耗：典型值 0.25μA（VDD=3.0V,Ta=25℃）。\r\n? 芯片工作電壓范圍：1.3~5.5V，工作溫度：,民用級 0℃~70℃,工業(yè)級－40℃～85℃。\r\n? 年、月、日、星期、時、分、秒的 BCD 碼輸入/輸出。\r\n? 自動日歷到 2099 年（包括閏年自動換算功能）。\r\n? 可設定兩路鬧鐘（定時）及 32768Hz～1Hz 的方波信號輸出。\r\n? 內置時鐘精度數(shù)字調整功能。\r\n? 內置 16bit 的通用寄存器。\r\n? 內置電源掉電檢測電路,具有上電和掉電標志位。\r\n? 內置穩(wěn)壓電路,內部計時電壓可低至 0.5V(參考值) 。\r\n? 內置晶振，出廠前已對時鐘進行校準，時鐘精度為±5ppm(在 25℃±1℃下)，即年誤差小于 2.5 分鐘。\r\n? 封裝形式:8 腳的 DIP 封裝, SD2203API 為工業(yè)級型號。;

SD2203AP 是一種具有內置晶振、支持 I2C 總線的高精度實時時鐘芯片。該芯片可保證時鐘精度為±5ppm(在 25℃±1℃下)，即年誤差小于 2.5 分鐘；該芯片內置時鐘精度調整功能，可以在很寬的范圍內校正時鐘的偏差(分辨力 1ppm)，通過外置的數(shù)字溫度傳感器可設定適應溫度變化的調整值，實現(xiàn)在寬溫范圍內高精度的計時功能。該芯片可滿足對實時時鐘芯片的各種需要，是在選用高精度實時時鐘時的理想選擇。

SD2204

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZSEMICONDUCTOR] FEATURES ■Ultra-LowChannelOFFleakage,

SD2204BD

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZSEMICONDUCTOR] FEATURES ■Ultra-LowChannelOFFleakage,

SD2204CHP

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZSEMICONDUCTOR] FEATURES ■Ultra-LowChannelOFFleakage,