SD1224-02分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SD1224-02 |
| 參數(shù)屬性 | SD1224-02 封裝/外殼為M113；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113 |
| 功能描述 | RF AND MICROWAVE TRANSISTORS VHF FM APPLICATIONS |
| 封裝外殼 | M113 |
| 文件大小 |
135.06 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-4 16:59:00 |
| 人工找貨 | SD1224-02價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SD1224-02規(guī)格書詳情
SD1224-02屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的SD1224-02晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
DESCRIPTION:
The SD1224-02 is an epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for 28 V FM Class C RF amplifiers utilized in ground station transmitters. This device utilizes ballasted emitter resistors and improved metallization systems to achieve optimum load mismatch capability.
特性 Features
? 175 MHz
? 28 VOLTS
? CLASS C
? COMMON EMITTER
? EFFICIENCY 60 MIN.
? POUT = 40 W MIN.
? GP = 7.6 dB GAIN
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SD1224-02
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
35V
- 頻率 - 躍遷：
175MHz
- 增益：
7.6dB
- 功率 - 最大值：
60W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
5A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M113
- 供應(yīng)商器件封裝：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
M113 |
1200 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
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ST |
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Microsemi Corporation |
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ST |
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ST |
2019+ |
SMD |
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原廠渠道 可含稅出貨 |
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SAMTEC |
新 |
51 |
全新原裝 貨期兩周 |
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ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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ST |
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原廠原封 |
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MSC |
24+ |
SMD |
1 |
詢價(jià) |
