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SD1019分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

SD1019
廠商型號

SD1019

參數(shù)屬性

SD1019 封裝/外殼為M130;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS 108-152 MHz APPLICATIONS
RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130

封裝外殼

M130

文件大小

613.68 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 23:00:00

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SD1019規(guī)格書詳情

SD1019屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的SD1019晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SD1019

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    35V

  • 頻率 - 躍遷:

    136MHz

  • 增益:

    4.5dB

  • 功率 - 最大值:

    117W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 500mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    9A

  • 工作溫度:

    200°C

  • 安裝類型:

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    M130

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M130

  • 描述:

    RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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