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SCTH35N65G2V-7AG數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

SCTH35N65G2V-7AG

功能描述

汽車級碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-10 10:07:00

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SCTH35N65G2V-7AG規(guī)格書詳情

描述 Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

特性 Features

? AEC-Q101 qualified
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Extremely low gate charge and input capacitance
? Source sensing pin for increased efficiency

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :SCTH35N65G2V-7AG

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-7

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS_nom(V)

    :650

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :45

  • RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)

    :0.067

  • PTOT_max(W)

    :208

  • Qg_typ(nC)

    :73

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
24+
N/A
78000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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STMICROELECTRONICS
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ST(意法)
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ST(意法半導(dǎo)體)
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H2PAK-7
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ST(意法半導(dǎo)體)
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H2PAK-7
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