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SCT4026DW7數(shù)據(jù)手冊ROHM中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SCT4026DW7

功能描述

750V, 51A, 7引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu), SiC MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名稱

羅姆 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-10 16:10:00

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SCT4026DW7規(guī)格書詳情

描述 Description

SCT4026DW7是一款750V、51A的Nch SiC功率MOSFET。該產(chǎn)品采用溝槽結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻,



ROHM的第4代SiC MOSFET

SCT4系列是改善了短路耐受時(shí)間并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的第4代產(chǎn)品。與以往產(chǎn)品相比,該系列產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻降低了約40%,開關(guān)損耗降低了約50%。另外,該產(chǎn)品還支持更容易處理的15V柵-源電壓,使應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)更容易。

特性 Features

? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Fast reverse recovery
? Easy to parallel
? Simple to drive
? Pb-free lead plating ; RoHS compliant

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :SCT4026DW7

  • 生產(chǎn)廠家

    :ROHM

  • 封裝

    :TO-263-7L

  • 包裝數(shù)量

    :1000

  • 最小獨(dú)立包裝數(shù)量

    :1000

  • 包裝形態(tài)

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :750

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

    :26

  • Generation

    :4th Gen (Trench)

  • Drain Current[A]

    :51

  • Total Power Dissipation[W]

    :150

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :10.2x15.4 (t=4.7)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM Semiconductor
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