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SCT20N120AG

型號:SCT20N120AG;Package:HiP247;Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m廓 (typ., TJ=150 ?C), in an HiP247 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SCT20N120

型號:SCT20N120H;Package:H2PAK-2;Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H2PAK-2 package

Features ?Verytightvariationofon-resistancevs.temperature ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=175°C) ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Lowcapacitance Applications ?Solarinverters,UPS ?Motordrives ?HighvoltageDC-DCconverters ?Switch

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
STMicroelectronics
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更多SCT20N120供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:20:00