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SCT011H75G3AG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

SCT011H75G3AG
廠商型號(hào)

SCT011H75G3AG

參數(shù)屬性

SCT011H75G3AG 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET 750 V 110A H2PAK7

功能描述

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mΩ typ., 110 A in an H2PAK-7 package
MOSFET 750 V 110A H2PAK7

絲印標(biāo)識(shí)

011H75G3AG

封裝外殼

H2PAK-7

文件大小

395.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-23 18:15:00

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SCT011H75G3AG規(guī)格書詳情

SCT011H75G3AG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的SCT011H75G3AG晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

特性 Features

? AEC-Q101 qualified

? Very low RDS(on) over the entire temperature range

? High speed switching performances

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Source sensing pin for increased efficiency

Applications

? Main inverter (electric traction)

? DC/DC converter for EV/HEV

? On board charger (OBC)

描述 Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device

features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with

low capacitances and very high switching operations, which improve application

performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SCT011H75G3AG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    MOSFET 750 V 110A H2PAK7

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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