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SIHFR220TR

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHFR220TR

PowerMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

SIHFU220

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

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SIHFU220

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

SIHFU220

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) ?Straightlead(IRFU220,SiHFU220) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHFU220

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SK220

2.0AMPSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd.

松浩電子松浩電子股份有限公司

SK220

2.0AMPSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd.

松浩電子松浩電子股份有限公司

SK220

2.0AMPSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

SK220

2.0AMPSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

技術參數(shù)

  • 封裝：

    TO-220AC

  • 包裝數(shù)量：

    1000

  • 最小獨立包裝數(shù)量：

    50

  • 包裝形態(tài)：

    Tube

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Automotive

  • Reverse Voltage[V]：

    1200

  • Continuous Forward Current[A]：

    20

  • Generation：

    2nd Gen

  • Total Power Dissipation[W]：

    210

  • Junction Temperature(Max.)[°C]：

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    175

  • Package Size [mm]：

    9.8x15.37 (t=4.71)

  • Common Standard：

    AEC-Q101 (Automotive Grade)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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更多SCS220KGHR供應商 更新時間2025-7-27 21:24:00

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