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SBC856BWT1G數(shù)據(jù)手冊分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

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廠商型號

SBC856BWT1G

參數(shù)屬性

SBC856BWT1G 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

功能描述

General Purpose Transistors
TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

封裝外殼

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-11 20:00:00

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SBC856BWT1G規(guī)格書詳情

簡介

SBC856BWT1G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產的SBC856BWT1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

技術參數(shù)

更多
  • 產品編號:

    SBC856BWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    220 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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