描述 Description

-高靈敏：0.3 A/W, QE=91% (λ=410 nm)-高可靠性 ? 詳細參數 ??感光面積??φ0.4 mm ??象元數??1 ??封裝??金屬 ??封裝類型??TO-18 ??反偏電壓（最大）??20V ??光譜響應范圍??320 to 1000 nm ??峰值波長??760 nm ??靈敏度??0.42 A/W ??暗電流??100 pA ??截止頻率??1000 MHz ??結電容??1.6 pF ??測試條件??Ta=25 ℃， 除非特別說明均為典型值。靈敏度：λ=780 nm，暗電流： VR=3.3V， 截止頻率： VR=3.3V，結電容： VR=3.3V .conclass { font: 12px/25px '宋體'; display: table;} .conclass p {text-indent: 2em;} 光譜響應外形圖（單位：mm） 相關文件下載 ·Notice[39 KB/PDF] ·Metal, Ceramic, Plastic products / Precautions[307 KB/PDF] ·Si photodiode / Application circuit examples[64 KB/PDF] ·Si photodiodes / Selection guide[8.84 MB/PDF]