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S29GL512P10FFIR10

Parallel NOR Flash; \n優(yōu)勢:\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

S29GL512P10FFIR10

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

S29GL512P10FFIR10W

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

S29GL512P10FFIR10W

Package:64-LBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64BGA

ETC

ETC

S29GL512P10TFCR10

Spansion
TSOP56

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè):香港凱利國際有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    512Mb (32M x 16)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    100ns

  • 訪問時間:

    100ns

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 電源:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    64-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    64 球加強(qiáng)型 BGA(13x11)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SPANSION/飛索半導(dǎo)體
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更多S29GL512P10FFIR10供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 10:12:00