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S2308

N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET Bare die; · Low ON resistance\n· Fast switching speed\n· Fast revese recovery\n· Easy to parallel\n· Simple to drive;

S2308是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)。\n\n關(guān)于Bare Die的銷售請(qǐng)向本公司銷售部門咨詢規(guī)格?，F(xiàn)在尚未進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)銷售及經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)公司進(jìn)行銷售。

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

S2308

N-channel SiC power MOSFET bare die

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

S2308

N-channel SiC power MOSFET bare die

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

S2308_16

N-channel SiC power MOSFET bare die

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SAS2308

PCIExpressto8-Port6Gb/sSAS/SATAController

BOARDCOMBroadcom Corporation.

博通公司博通半導(dǎo)體

SC2308A

600kHzStep-UpSwitchingRegulatorwith2.2A,45VSwitch

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SC2308AEVB

600kHzStep-UpSwitchingRegulatorwith2.2A,45VSwitch

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SC2308ASTRT

600kHzStep-UpSwitchingRegulatorwith2.2A,45VSwitch

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SCH2308

P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

SGM2308

N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • RoHS：

    Yes

  • Drain-source Voltage[V]：

    1200

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：

    280

  • Generation：

    2nd Gen

  • Drain Current[A]：

    14

  • Junction Temperature(Max.)[°C]：

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    175

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
23+
SOP-8
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
IR
22+
SOP-8
6000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
 詢價(jià)
IR
23+
SOP8
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
國(guó)產(chǎn)
25+
SOT-23
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
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NA
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全新原裝 貨期兩周
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全新原裝 貨期兩周
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原裝晶體振蕩器
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SMD
7500
十年品牌!原裝現(xiàn)貨!!!
 詢價(jià)
更多S2308供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 9:30:00

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