S200-50分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
S200-50 |
| 參數(shù)屬性 | S200-50 封裝/外殼為55HX；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX |
| 功能描述 | 200 WATTS - 50 VOLTS 30MHZ |
| 封裝外殼 | 55HX |
| 文件大小 |
156.98 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ETC List of Unclassifed Manufacturers |
| 中文名稱 | 未分類制造商 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-2 23:01:00 |
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S200-50規(guī)格書詳情
[ACRIAN INC]
GENERAL DESCRIPTION
The S200-50 is a common emitter, HF, SSB device intended for operation from a 50 volt supply. It may be operated in Class A, AB or C. The device exhibits excellent linearity and ruggedness.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
S200-50
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
110V
- 頻率 - 躍遷：
1.5MHz ~ 30MHz
- 增益：
12dB ~ 14.5dB
- 功率 - 最大值：
320W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
30A
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55HX
- 供應(yīng)商器件封裝：
55HX
- 描述：
RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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