S11519-30數(shù)據(jù)手冊Hamamatsu中文資料規(guī)格書
| 廠商型號 |
S11519-30 |
| 功能描述 | 增強(qiáng)近紅外靈敏度 使用MEMS技術(shù) |
| 制造商 | Hamamatsu Hamamatsu Photonics Co.,Ltd. |
| 中文名稱 | 濱松光子 濱松光子學(xué)株式會社 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-18 20:00:00 |
| 人工找貨 | S11519-30價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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描述 Description
濱松公司通過在在光電二極管背部形成MEMS結(jié)構(gòu)，研發(fā)出了多種近紅外靈敏度增強(qiáng)型硅探測器。S11519系列是就是近紅外波段靈敏度增強(qiáng)硅APD的一種。與傳統(tǒng)產(chǎn)品（S8890系列）相比，該系列對YAG激光(1.06 μm)的靈敏度有了極大提高。且該系列采用低偏置電壓，與傳統(tǒng)的S8890系列相比，S11519系列各方面的特性有了很大提高，比如擊穿電壓、暗電流和截止頻率。
特性 Features
- 近紅外波段高靈敏度?
- 高增益
- 低偏置電壓下穩(wěn)定工作
- 感光面積： φ3.0 mm
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：S11519-30
- 生產(chǎn)廠家
：Hamamatsu
- 感光面積
：φ3 mm
- 封裝
：金屬
- 封裝類型
：TO-8
- 峰值波長（典型值）
：960 nm
- 光譜響應(yīng)范圍（最小值）
：600 to 1150 nm
- 暗電流（最大值）
：90 nA
- 截止頻率（典型值）
：230 MHz
- 擊穿電壓（典型值）
：350 V
- 擊穿電壓溫度系數(shù)（典型值）
：1.7 V/℃
- 增益（典型值）
：100
- 測試條件
：除非注明，均為典型值，Ta=25 ℃
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
NA/ |
1120 |
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