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SG2016CAN	文件：419.07 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)	SIISeiko Instruments Inc 精工愛普生精工愛普生株式會社	SII
SG2016CAN	文件：514.068 Kbytes Page：2 Pages	愛普生MHZ晶體振蕩器SG2016CAN選型規(guī)格書	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 揚興深圳揚興科技有限公司	YXC
SG2016CAN	文件：506.74 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)OUTPUT:CMOS	EPSONEpson Company 愛普生精工愛普生株式會社	EPSON
SGM2016	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AM	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AN	文件：56.22 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016ANisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Ultra-smallpackage ?Lowvoltageoperation ?Lowno	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AP	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016M	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony

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