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TISP8201MDR

COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TISP8201MDR-S

COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TLE8201R

DoorModulePowerIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TPC8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=37m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ●Enhancement?mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TPCF8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCP8201

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TPCP8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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