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TISP8201MDR-S

COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TLE8201R

DoorModulePowerIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TPC8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=37m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ●Enhancement?mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCF8201

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCF8201

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

TPCF8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCF8201

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCP8201

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCP8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCP8201

PortableEquipmentApplications

PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverterApplications ?Lead(Pb)-Free ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(VDS=30V) ?Enhancementmode:Vth=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
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更多RTL8201CL-VD-LF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 10:31:00

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