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TLE8201R	文件：598.93 Kbytes Page：45 Pages	DoorModulePowerIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
TPC8201	文件：344.35 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=37m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ●Enhancement?mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.88033 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TPCF8201	文件：232.71 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：187.23 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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