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S9014

Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise

Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise ?Hightotalpowerdissipation.(PT=450mW) ?HighhFEandgoodlinearity ?ComplementarytoSS9015

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

S9014

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ?ComplementaryToS9015. ?ExcellentHFELinearity. ?Powerdissipation.(PC=0.2W) APPLICATIONS ?Per-Amplifierlowlevel&lownoise.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

S9014

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ?ComplementarytoS9015

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

S9014

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ?Hightotalpowerdissipation.(PC=0.45W) ?HighhFEandgoodlinearity ?ComplementarytoS9015

PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.

平盛電子深圳市平盛電子有限公司

S9014

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheS9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features ?HighTotalPowerDissipation.(PD:450mW) ?ComplementarytoS9015 ?HighhFEandGoodLinearity.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

S9014

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?Hightotalpowerdissipation.(PC=0.45W) ?HighhFEandgoodlinearity ?ComplementarytoS9015

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團大亞電器集團有限公司

S9014

LowLevel&LowNoise

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W CollectorCurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S9014

Plastic-EncapsulateTransistors

SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.

三聯(lián)盛科技股份深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司

S9014

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ?ComplementaryToS9015. ?ExcellentHFELinearity. ?Powerdissipation.(PC=0.2W) APPLICATIONS ?Per-Amplifierlowlevel&lownoise.

DSK

Diode Semiconductor Korea

S9014

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ?ComplimentarytoS9015

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

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