描述 Description

RT8231A/B 集成了一個(gè)同步 Buck 架構(gòu)的 PWM 控制器、一個(gè)具有 1.5A 電流吐納能力的追蹤型線性穩(wěn)壓器和有緩沖的低噪聲參考源，可為 DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源供應(yīng)。

PWM 控制器具有低電流消耗、高效率、卓越的瞬態(tài)回應(yīng)和高輸出精度等特性，可用于筆記本電腦將電池高壓轉(zhuǎn)換為低壓為內(nèi)存系統(tǒng)供電。該控制器采用固定導(dǎo)通時(shí)間的 PWM 控制架構(gòu)，可以在極寬 VIN/VOUT 比的情況下工作，使用方便，面對(duì)負(fù)載瞬變時(shí)具有快達(dá) 100ns 的“實(shí)時(shí)”響應(yīng)能力，同時(shí)保持基本固定的工作頻率。

由于省略了傳統(tǒng)的電流模式 PWM 控制器中常見的電流檢測(cè)電阻，RT8231A/B 在降低了成本的情況下，還能獲得更高的效率。由于具有驅(qū)動(dòng)大型同步整流 MOSFET 開關(guān)的能力，轉(zhuǎn)換效率也得到了進(jìn)一步提高，使得該轉(zhuǎn)換器可以極高的效率直接從電池取電為系統(tǒng)供電。

具有 1.5A 電流吐納能力的低壓差線性穩(wěn)壓器具有快速的瞬態(tài)響應(yīng)能力，只需使用 10μF 的陶瓷輸出電容即可保持穩(wěn)定工作。它還可以使用外來的電源輸入，因而可以最大化地降低總的功率損耗。

RT8231A/B 支持所有的睡眠狀態(tài)控制方法，可在 S3 期間將 VTT 置于高阻狀態(tài)，在 S4/S5 期間對(duì) VDDQ、VTT 和 VTTREF 進(jìn)行放電操作（軟關(guān)機(jī)）。

RT8231A/B 具有 OVP、UVP 和熱關(guān)機(jī)等保護(hù)特性，其封裝為 WQFN-20L 3x3。

特性 Features

? PWM 控制器? 下橋 RDS(ON) 檢測(cè)方式的可調(diào)電流限制? 低靜態(tài)電流消耗? 100ns 快速瞬態(tài)響應(yīng)能力? 全輸入、負(fù)載范圍內(nèi) 1% VVDDQ 電壓精度? 0.675V~3.3V 可調(diào)輸出范圍，可供 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)? 輸入電壓范圍：4.5V~26V? 工作頻率由電阻調(diào)節(jié)? 過壓/欠壓保護(hù)? 內(nèi)置軟啟動(dòng)? 可驅(qū)動(dòng)大型同步整流 MOSFETs? Power Good 指示
? 1.5A LDO (VTT)，帶緩沖的參考源(VTTREF)? 高達(dá) 1.5A 電流吐納能力? LDO 輸入可選，優(yōu)化功率損失? 僅需 10μF 陶瓷輸出電容? 集成分壓器使 VTT 和 VTTREF 追蹤 1/2 VDDQ? VTTREF 和 VTT 的精度：±20mV? 支持 S3 的高阻狀態(tài)和 S4/S5 的軟關(guān)機(jī)操作
? 符合 RoHS 規(guī)范，不含鹵素

應(yīng)用 Application

? DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 內(nèi)存電源
? 筆記本電腦
? SSTL18, SSTL15 和 HSTL 總線終端