描述 Description

RT8207L/M 為 DDR II/DDRIII 內(nèi)存系統(tǒng)提供了完整的電源供應(yīng)，其中集成了一個(gè)同步 Buck 架構(gòu)的 PWM 控制器和一個(gè)具有 1.5A 電流吐納能力的追蹤型線性穩(wěn)壓器，還有一個(gè)經(jīng)過緩沖處理的低噪聲參考電壓源。

其中的 PWM 控制器為筆記本電腦的 RAM 內(nèi)存部分提供了將電池高電壓轉(zhuǎn)換為低壓供電的高效率方案，具有優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng)能力和極高的輸出電壓精度。它所采用的固定導(dǎo)通時(shí)間 PWM 控制架構(gòu)能很容易地面對(duì)很寬的輸入/輸出電壓比率范圍，能在維持相對(duì)穩(wěn)定的工作頻率情況下以快達(dá) 100ns 的實(shí)時(shí)響應(yīng)能力對(duì)負(fù)載瞬變做出回應(yīng)。

RT8207L/M 拋棄了傳統(tǒng)電流模式 PWM 控制器中使用電阻進(jìn)行電流檢測(cè)的方式，降低了成本，提高了效率。由于具備驅(qū)動(dòng)大功率同步整流 MOSFET 的能力，其效率也得到了改善。其 Buck 架構(gòu)容許將很高的電池電壓直接轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)需要的電壓也對(duì)效率提升做出了貢獻(xiàn)。

具有 1.5A 電流吐納能力的線性穩(wěn)壓器僅需使用 20μF 的陶瓷電容即可維持其快速瞬態(tài)響應(yīng)特性，它還容許使用外部電源輸入以最大限度的減少總的功率消耗。RT8207L/M 支持所有的睡眠狀態(tài)控制功能：在 S3 狀態(tài)下置 VTT 于高阻狀態(tài)；在 S4/S5 狀態(tài)下對(duì) VDDQ、VTT 和 VTTREF進(jìn)行放電操作（軟關(guān)機(jī)）。

RT8207L/M 包含了所有的保護(hù)特性，熱關(guān)機(jī)功能也包含其中，其封裝為 WQFN-24L 4x4 和 WQFN-20L 3x3。

特性 Features

? PWM 控制器?下橋 RDS(ON) 電流檢測(cè)，電阻可程序設(shè)計(jì)電流限制?100ns 快速步階負(fù)載響應(yīng)?全輸入電壓/負(fù)載范圍內(nèi)的1% VOUT 精度?1.8V(DDRII)、1.5V(DDRIII)固定電壓輸出或 0.75V~3.3V 可調(diào)電壓輸出?電池電壓輸入范圍： 4.5V~26V?電阻可程序設(shè)計(jì)工作頻率?過壓/欠壓保護(hù)?軟啟動(dòng)期間有內(nèi)部電流限制斜波?具備驅(qū)動(dòng)大功率同步整流 MOSFET 的能力?電源狀態(tài)指示
? 1.5A 線性穩(wěn)壓器（ VTT ），帶緩沖的參考電壓（ VTTREF ）?高達(dá) 1.5A 的電流吐納能力?容許選擇外部輸入以最小化功率消耗?為 VTT 和 VTTREF 集成分壓器追蹤 1/2 VDDQ?帶緩沖的低噪聲 10mA VTTREF 輸出?遠(yuǎn)程電壓檢測(cè)（ VTTSNS ）?VTTREF 和 VTT 電壓精度為 ±20mV?支持 S3 狀態(tài)下的高阻狀態(tài)和 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)斷過程
? 符合 RoHS 規(guī)范，不含鹵素

應(yīng)用 Application

? DDRI/II/III Memory Power Supplies
? Notebook Computers
? SSTL18, SSTL15 and HSTL Bus Termination