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TZ2713A

CrystalUnitSMD2.5x2.026.859MHz

Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

UPA2713GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2713GRisP-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=16mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?4.0A) RDS(on)2=25mΩMAX.(VGS=?4.5V,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2713GR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2713T

1.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER

DESCRIPTION TheμPC2710TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasPAdriverfor900MHzbandcellulatelephonetuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. ThisICismanufacturedusingNEC’s20GHzfTNESATTMlllsiliconb

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2713T

1.2GHzLOWNOISEWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT

NECRenesas Electronics America

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更多RN2713JE供應商 更新時間2025-7-19 10:04:00

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