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RN2411分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN2411
廠商型號

RN2411

參數(shù)屬性

RN2411 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10KO

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

166.7 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-15 16:12:00

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RN2411規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

? With built-in bias resistors

? Simplify circuit design

? Reduce a quantity of parts and manufacturing process

? Complementary to RN1410, RN1411

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RN2411,LXHF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    S-Mini

  • 描述:

    AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10KO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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