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SI2302

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?Leadfreeproductisacquired ?SOT-23Package ?MarkingCode:S2 ?Epo

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

SI2302

Plastic-EncapsulateMOSFETS

N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter

CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.

辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司

SI2302

N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage

DESCRIPTIONS N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. FEATURES SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON),SOT-23package. APPLICATIONS Batterymanagement,Highspeedswitch,lowpowerDCtoDCconverter.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

SI2302

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Feature ●16V/3.6A,RDS(ON)=100mΩ(MAX)@VGS=4.5V. RDS(ON)=140mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOT-23forSurfaceMountPackage. Applications ●PowerManagementPortableEquipmenta

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

SI2302

Plastic-EncapsulateMOSFETS

CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.

辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司

SI2302

N-ChannelEnhancementMOSFET

N-ChannelEnhancementMOSFET ■FEATURES TrenchFETPowerMOSFET

YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.

壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司

SI2302

Plastic-EncapsulateMosfets

FEATURES ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?CaseMaterial:MoldedPlastic.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

SI2302A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features ?RuggedandReliable ?LeadFreeProductisAcquired ?HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?MoistureSensitivityLevel1 ?HalogenFreeAvailableUponRequestbyAddingSuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

SI2302A

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

SI2302A

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    RN2302,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 250μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-70

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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24+
N/A
48000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇
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TOSHIBA(東芝)
23+
USM
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三極管/MOS管/晶體管 > 數(shù)字晶體管
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TOSHIBA(東芝)
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USM
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TOSHIBA/東芝
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SOT-323
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TOSHIBA/東芝
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SOT-323
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21+
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進(jìn)口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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TOSHIBA
100
詢價
更多RN2302,LF供應(yīng)商 更新時間2025-7-21 15:01:00

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