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RN2301

Bias resistor built-in transistor (BRT); Collector Current IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V \n;

Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN1301\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰國(guó)\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

RN2301

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

RN2301,LF

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2301,LXHF

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：AUTO AEC-Q SINGLE PNP , R1=4.7KO

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

RSM2301P

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RTM2301

20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

RTM2301CX

20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

RTM2301CX

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

S2301

N-channelSiCpowerMOSFETbaredie

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

S2301

N-channelSiCpowerMOSFETbaredie

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    SOT-323 (USM)

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.0 x 2.1 x 0.9

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Polarity：

    PNP

  • Internal Connection：

    Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：

    4.7

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：

    4.7

  • Q1VCEO (Max)(V)：

    -50

  • Q1IC (Max)(A)：

    -0.1

  • AEC-Q101：

    Qualified(*)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多RN2301供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:14:00

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